Korea väljaande Hankgyung teatel testib Hiina suurim mälutootja CXMT, mis valmistub lähinädalatel börsile minekuks (IPO), Hefeis katsetootmisliini bond-DRAM tehnoloogia jaoks. Eesmärk on toota kõrge jõudlusega DRAM-i ilma tipptasemel EUV-litograafiata, mida monopoolselt pakub Hollandi ASML ja millele kehtivad enneolematud ekspordipiirangud.
Bond-DRAM tehnoloogia korral valmistatakse mälurakkude massiiv ja perifeeriaahelad eraldi räniplaatidel ning seejärel ühendatakse. See võimaldab ülitiheda DRAM-i tootmist üksnes DUV-litograafiaga, kasutades mitmikmustrimist. Samsung arendab sarnast tehnoloogiat B1b-projekti raames ning SK Hynix järgib sama suunda, kuid Korea meedia hinnangul võib CXMT olla oma rivaalidest juba ees.
Hiina tootjad CXMT (DRAM) ja YMTC (NAND), kes veel kaks aastat tagasi tootsid vaid madala klassi kiipe ja kandsid suuri kahjumeid, on tehnoloogialõhet Samsungi ja SK Hynixiga kahandanud viielt aastalt umbes kolmele. 2026. aasta esimeses kvartalis kasvas CXMT osakaal ülemaailmsel DRAM-turul 8%-ni ning ettevõtet kaalutakse Apple’i uue tarnijana. Umbes 20% liinidest on suunatud HBM3/HBM3E arendusse. YMTC-l on 119 hübriidühenduse põhipatenti, Samsungil 83.