Illinois Urbana-Champaigni ülikooli teadlased on välja töötanud meetodi, mis võimaldab laduda kõrgekvaliteedilisi ränikiibi kihte otse üksteise peale — läbimurre, mis võib aidata pooljuhttööstustel suurendada arvutusvõimsust ilma transistore veelgi väiksemaks muutmata. Praegu on transistorite väiksemaks muutmine jõudmas füüsikaliste piirideni ning Moori seadus aeglustub. Selle asemel et komponente kokku suruda, ehitavad Illinois’i teadlased kihiti ülespoole, vähendades nii ala jalajälge, transistorite vahelisi kaugusi ja energiakulu. Peamine tehniline takistus on olnud temperatuur: kõrgekvaliteediliste ränikiihtide valmistamine nõuab kuni 1000 kraadi Celsiuse järgi, kuid juba valmis kihtide kahjustamise vältimiseks ei tohi lisanduvad protsessid ületada 400 kraadi. Teadlased lahendasid selle probleemi ultrahõhedate monokristalse räni nanomembraanide ülekandmise meetodiga, mis nõuab vaid kuni 200-kraadist temperatuuri. Tulemuseks on tihedam vertikaalne ühenduvus ja täpsem kihtide joondus, mis lubab luua kiiremaid ja efektiivsemaid kiipe. Teadlaste sõnul võib see avada tee järgmise põlvkonna pooljuhtide masstootmisele.
