IBM tutvustas enda sõnul maailma esimest alla ühe nanomeetri kiibitehnoloogiat, mis suudab sõrmeküünesuurusele kiibile mahutada ligi 100 miljardit transistori. See kahekordistab ettevõtte 2021. aastal näidatud 2-nanomeetrise katsekiibi tihedust ning ületab tänaseid võimsamaid kiipe, mille piir on umbes 80 miljardit transistori.
Uuenduse keskmes on NanoStack — kolmemõõtmeline nanolehtedel põhinev transistorikujundus, mis skaleerub vertikaalselt, ühendades kaks nanolehe-transistorit ühte vertikaalsesse struktuuri. Iga transistor kasutab kolme alla 5 nm paksust nanolehte, mille laius vastab ligikaudu 15 räniaatomile. Kuna ülemine ja alumine seade võivad kasutada erinevaid materjale, näeb IBM seda platvormina, mis ulatub mitme põlvkonna jooksul kuni 1 ongströmini (üks kümnemiljardik meetrit).
Võrreldes oma 2 nm tehnoloogiaga lubab IBM kuni 50% suuremat jõudlust sama energiakulu juures või 70% väiksemat energiakulu sama jõudluse juures. SRAM-mälu tihedus paraneb 40%, mis on oluline tehisintellekti (AI) kiirenditele. Tootmisse jõudmist oodatakse järgmise viie aasta jooksul.