IBM on välja töötanud alla nanomeetri (nm) suuruse kiibitehnoloogia, mida ettevõtte sõnul saaks kasutada kaubanduslike kiipide tootmiseks viie aasta jooksul. Lisaks on visandatud arengutee kuni 0,1 nanomeetrini. Uus protsess on tegelikult 0,7 nm ehk 7 ongströmi, samas kui Inteli ja TSMC poolt 2028. aastaks ettevalmistatavad tipptehnoloogiad on 1,4 nm. IBM väidab, et uuele kiibile mahub peaaegu 100 miljardit transistorit sõrmeküüne suurusele ränialusele — see on ligi kaks korda tihedam kui 2021. aastal tutvustatud 2 nm tehnoloogia.
Uudses tootmismeetodis on kasutatud kolmemõõtmelist nanostack-arhitektuuri, kus n- ja p-tüüpi transistorid on paigutatud üksteise peale. IBM Researchi direktor Jay Gambetta sõnul võimaldab see kuni 50% suuremat jõudlust või 70% paremat energiatõhusust võrreldes 2 nm tehnoloogiaga. Erinevalt tavalisest virnastamisest on ülemise kihi transistorid alumistest nihutatud, mis võimaldab signaali- ja toitekontakte iseseisvalt ühendada.
Kuigi Intel rääkis transistoride 3D-virnastamisest juba 2023. aastal ning Huaweil on sarnane LogicFolding-arhitektuur, peab IBM oma lahendust esimeseks nanosheet-põhiseks 3D-disainiks. Tehnoloogia sobiks CPU-de, GPU-de, mobiilikiipide ja mälu jaoks ning Gambetta vihjas, et seda võiks kasutada ka tulevastes tehisintellekti (AI) kiirendajates.