KAIST-i ja Lõuna-Korea idufirma TDS Innovationi teadlased näitasid Nature’is 7. oktoobril avaldatud uuringus, kuidas juhtida 2D-pooljuhtkristallide kasvukohta. Meetod aitab ületada takistust järgmise põlvkonna kiipide masstootmisel.
Kahemõõtmelised materjalid on aatomikihi paksused. Grafeen ei sobi transistoridele, sest tal puudub keelutsoon. Mõned üleminekumetallide dikalkogeniidid, näiteks molübdeendisulfiid (MoS₂), omavad keelutsooni ja on uurimisel transistoride jaoks. Plaadil algab kristallide kasv tavaliselt juhuslikes kohtades, mistõttu tekib mitu kristalli ja nende piirid halvendavad elektrilisi omadusi.
Teadlased töötasid välja söövitusvoo vahendatud ühekeskmelise nukleatsiooni (EF-SCN). Oksiidbarjäärist vabanev hapnik tekitab külgsuunalise söövitusvoo, mis pärsib uusi kristalle kõikjal peale mustri geomeetrilise keskme. Nad valmistasid töötavaid väljatransistoreid (FET) ja teatasid MoS₂ transistoride kõrgemast laengukandjate liikuvusest. Kahesentimeetrisel alusel tekkisid üksikkristallid 397-l 400-st kohast (saagis 99,3%). Kaasautor Kibum Kang on TDS Innovationi kaas-tegevjuht. Firma näeb 2D-seadmete virnastamist ränikiipidele loogika ja mälu lähendamiseks ning CFETide jaoks.